Divisor De Voltaje Y Mosfet.pdf 6u68y

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE Como se puede ver en la entrada del circuito, ahora hay dos resistencia, las cuales serán de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios, esto es para no perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos de amplificación, entre las dos forman un divisor de tensión, por lo cual la tensión de la compuerta VG tendrá un valor positivo.

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

JFET CON POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

VG = R2 VDD/(R1 + R2) VGS = VG – IDRS VDS =VDD - ID(RD + RS)

JFET

(VGSQ = 0 V)

VGSQ = 0 v IDQ = Iss

JFET (RD = 0 Ω)

VGSQ = -IDRS VD = VDD VS = IDRS VDS =VDD - IDRS

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR. (MOSFET) existen dos tipos de transistores MOSFET. MOSFET de acumulación ,enriquecimiento o incremental. MOSFET de deplexión, empobrecimiento o decremental.

OS METALICOS

MATERIAL AISLANTE

SIMBOLOGIA MOSFET DE ACUMULACION, ENREQUESIMIENTO O INCREMENTAL

POLARIZACION DEL MOSFET DE ACUMULACION O ENREQUECIMIENTO

FUNCIONAMIENTO MAS HABITUAL

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE VGS =0

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE VGS >0

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE VGS >o MODULACION DE ANCHURA DEL CANAL

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO CON VGS PODEMOS MODULAR LA ANCHURA DEL CANAL CON UNA TENSION (+) PERO DEBE SUPERAR UN DETERMINADO NIVEL DE TENSION VT (TENSION DE THRESHOLD) VALOR MINIMO DE TENSION PARA QUE EL CANAL EXISTEN PERMITA LA CIRCULACION DE ID

La tensión VGS modula la anchura del canal. El dispositivo se comporta como una resistencia controlada por voltaje.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EFECTO DE VDS VDS =VGS - VGD AL SER VDS > 0 VGS > VGD

Característica ID-VDS para un valor de VGS constante

CURVA CARACTERISTICA DEL MOSFET Limite de la región

Zona de corte o de no conducción ID= 0 y para valores de VGS≤ V T

ZONA OHMICA O DE NO SATURACION Zona óhmica o de no saturación

VDS ≤ VGS - VT Valores de VDS inferiores al de saturación Para VDS < VDSsat el MOSFET se comporta como una resistencia variable con VGS.

ZONA DE SATURACIÓN O DE CORRIENTE CONSTANTE

Se de para valores VDS > VDSat siendo VDSat = VGS - V T Es una fuente de corriente controlada por el voltaje VGS ID no crece hasta que VGS > V T

ZONA DE SATURACIÓN O DE CORRIENTE CONSTANTE

Para valores VGS > V T la corriente de drenaje está relacionada a VGS mediante la siguiente relación no lineal:

ZONA DE RUPTURA

EJEMPLO PARA CURVA DE TRANSFERENCIA

VGS(TH) = V T

CARACTERISTICAS DE LAS ZONAS DE TRABAJO Zona de corte o de no conducción ID= 0 y para valores de VGS≤ V T Zona óhmica VDS ≤ VGS - VT Límite entre la zona óhmica y saturación VDS = VGS - V T Zona saturación VDS ≥ VGS - VT

TRANSISTORES MOSFET DE DEFLEXION, EMPOBRECIMIENTO O DECREMENTAL

Estructura básica del MOSFET de deplexión canal n.

SIMBOLO

CIRCUITO DE POLARIZACION

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

para valores VGS > 0 el MOSFET de deplexión tiene un comportamiento de acumulación. A valores VGS < 0 disminuye la anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de modulación de la anchura de un canal en función de una tensión aplicada VGS .

CURVAS CARACTERÍSTICAS

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL La similitud que hay entre las curvas de transferencia de los JFET y el MOSFET decremental permite un análisis similar en el dominio de DC. El MOSFET de tipo decremental permite valores positivos de VGS y niveles de ID que excedan IDSS. Para las configuración hechas para los JFET si se reemplaza por un MOSFET DECREMENTAL, EMPOBRECIMIENTO O DEFLEXION el análisis es el mismo. Lo que falta definir la forma como graficar la ecuación de Shockley para valores positivos de VGS y valores mayor de IDSS.

PARAMETROS COMERCIALES Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos: IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.